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Transphorm liefert über eine halbe Million GaN-Geräte für Anwendungen der Multi-Kilowatt-Klasse aus. Das Unternehmen konnte diesen Meilenstein erreichen, weil die Kunden seine hochwertige, äußerst zuverlässige GaN-Plattform weiterhin übernehmen.
clock-icon08.11.2019 - 03:22:25 Uhr | businesswire.com

Transphorm Inc - der Marktführer bei der Entwicklung und Herstellung der ersten und zuverlässigsten JEDEC- und AEC-Q101-qualifizierten 650-V-Galliumnitrid-(GaN)-Halbleiter - hat bekanntgegeben, dass das Unternehmen mehr als 500 000 Hochspannungs-GaN-FETs ausgeliefert hat


der Produkte des Unternehmens zurückzuführen. Hinter dieser Q+R stehen die stabile Normally-Off-GaN-Plattform des Unternehmens, die starke Kontrolle seiner Epitaxieprozesse und seine Fertigungskapazitäten. Mit letzteren ist Transphorm gut aufgestellt, um die Mengen- und Qualitätsanforderungen verschiedener branchenübergreifender Märkte von Verbraucheradaptern bis hin zu Autos zu erfüllen.


Zusammen ermöglichen es diese Elemente dem Unternehmen, GaN-FETs zu produzieren, die unübertroffene Zuverlässigkeit, Gestaltbarkeit, Fahrbarkeit und Reproduzierbarkeit bieten.„Nach unserem Erfolg auf den zentralen Märkten für stärkere Leistung, für die GaN eine Rolle spielt, arbeiten wir auch mit Kunden auf schnell wachsenden Märkten zusammen, die mit Silicium unterversorgt sind, etwa Verbraucheradapter und Set-Top-Boxen“, sagte Philip Zuk, VP für Worldwide Technical Marketing und North American Sales bei Transphorm.


„Denken Sie daran, dass die Mehrzahl der bisher von uns ausgelieferten Produkte für Anwendungen mit höherer Leistung gedacht waren. Diese über 500.000 650V-FETs ergeben mehr als 4 Millionen FETs mit geringerer Leistung (unter 100 Watt). Das beweist unsere Kapazitäten zur Produktion bestimmter Mengen.“Zuverlässigkeit in der PraxisVor einem Jahr brachte Transphorm den ersten vollständigen Satz Validierungsdaten für Hochspannungs-GaN-Leistungshalbleiter auf den Markt.


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